基于加速性能退化试验的单片集成电路可靠性评估

摘要：

传统的可靠性评估方法一般基于失效寿命数据。对于高可靠长寿命的集成电路，很难通过加速试验获得其失效寿命时间。将性能退化理论引入到传统的可靠性评估中，采用基于退化轨迹的可靠性评估方法,对某型号CMOS工艺集成电路进行加速性能退化试验，利用引线键合强度的退化数据对退化轨迹进行模型拟合得到模型参数，统计分析得出了该器件的可靠性信息。

关键词： 加速性能退化试验 退化数据 退化轨迹 可靠性评估

作者: 王超 李凌 吴生虎 胡圣

作者单位: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所,西安,710054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会

会议地点: 张家界

会议语种:中文

页码: 103-109

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）