关态应力下AlGaN/GaN HEMT的Kink效应研究

摘要：

采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后,pre-kink区的电流减小了28％,Gd.peak增大一倍,Kink效应明显增强。应力前后的研究表明,碰撞电离不是导致Kink效应的主要原因:短时间关态应力后Kink效应增强的主导机制是关态应力激活了陷阱的电子捕获,使得陷阱效应增强,从而导致了Kink效应的增强。另外,Vdg对于电子的释放有辅助作用。

关键词： Kink效应 AlGaN/GaN HEMT 短时间 关态应力

作者: 马骥刚 焦颖 贺强 马晓华 王冲 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 34-37

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）