AlGaN/GaN HEMT的高温特性研究

摘要：

对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降低,此外2DEG密度的降低也是直流特性退化的另一因素。通过对器件肖特基特性的变温测试发现,高温下器件栅泄漏电流明显增大。研究表明,随着温度的升高,势垒层陷阱活性增强,电子能量增大,陷阱辅助遂穿机制成为除热电子发射机制外的另一种重要的栅泄漏机制。而陷阱活性的增强与电子能量的增大,也使被势垒层陷阱捕获的电子更容易逃离陷阱,在脉冲测试中不能有效地对二维电子气产生耗尽作用,导致器件电流崩塌效应的减弱。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 高温特性 势垒层陷阱

作者: 杨丽媛 潘才渊 马骥刚 郝跃 王冲 马晓华

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室,西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室,西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 42-45

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）