退火对Mg掺杂AlGaN的影响

摘要：

本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影响,发现热退火导致了Mg原子的重新分配并且使得H和O原子逃离了周体薄膜,而C原子的浓度反倒增加.

关键词： 热退火 P型AlGaN MOCVD方法

作者: 蔡茂世 李培咸 马晓华 周小伟 许晟瑞 郝萌 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室,西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 46-49

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）