原位Si3N4 AlGaN/GaN HEMT特性研究

摘要：

本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘层,增加了栅与2DEG沟道的距离,导致器件的阈值电压负漂。由其制得的Si3N4/AIG/GaN HEMT 的最大电流密度(IDmax)为928 mA/mm,峰值跨导(gmnax)为209 ms/mm,截止频率为22GHz。

关键词： 原位SiN4帽层 半导体器件 MOCVD技术

作者: 解露 郝跃 王昊 马晓华 张进城 王冲

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体国防重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 54-56

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）