GaAs HBT超高速2分频器的设计与仿真

摘要：

采用Foundry lum InGaP/GaAs HBT工艺实现超高速2分频器,设计过程在速度和功耗之间进行了折中,仿真结果表明,电源电压为5V,最高工作频率可达到25.2GHz,工作范围从Dc到25.2Ghz。该分频器可应用于中规模超高速N级级联的2M分频器和无线收发机中的锁相环式频率综合器。

关键词： GaAa HBT 超高速2分频器 仿真技术

作者: 程和远 张玉明 吕红亮 汤晓燕 张义门

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 60-62

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）