浮动肖特基环对GaN肖特基二极管电学特性的影响
本文设计并制作了具有浮动肖特基环的GaN肖特基二极管,研究浮动肖特基环对二极管电学特性的影响。根据C-V特性曲线的微分曲线极值点可以求得二维电子气的阈值电压、VT,同时根据C-V特性曲线的积分曲线可求得二维电子气密度。实验结果表明:随着浮动肖特基环内外径差值△r的增大,VT从-3.5V逐渐降低到-3.7V。当电压值小于-2.5V时,随着浮动肖特基环面积的增大,二维电子气密度n2D单调增加;当电压值升高时,随着面积的增大n2D不再是单调增加,而是随着面积的增大先增加后降低。I-V特性结果表明,在电流饱和区,随着浮动肖特基环面积的增大,饱和电流值逐渐下降。当电压为20V时,没有浮动肖特基环的器件电流为133.5mA,当浮动肖特基环内外径差值增加到80μm时,饱和电流值下降到78.5mA,下降了41％。
GaN 浮动电极 肖特基二极管 电学特性
孟令国 林兆军 吕元杰 栾崇彪 曹芝芳
山东大学物理学院,济南 250100
国内会议
西安
中文
63-66
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）