InGaP/GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究
本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流,有效的实现补偿功率放大器功率增益和输出功率随温度变化的特性,优化了射频功率放大器的热特性,性能随温度只有略微的退化。将该温度补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器,温度在-20℃到+80℃范围内变化时,增益随温度变化的变化量从4.3dB提高到只有1.1dB。
GaAs HBT 功率放大器 温度补偿电路
李诚瞻 陈志坚 王永平 马传辉 杨寒冰 廖英豪 周勇 刘斌
广州润芯信息技术有限公司,广州,510663
国内会议
西安
中文
67-69
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）