热退火对于AlGaN/GaN异质结肖特基接触特征参数的影响
AlGaN/GaN异质结制作Ni肖特基接触之后,将样品在N2氛围下进行600℃热退火,退火时间分别为0.5h,4.5h,10.5h,18h,33h,48h,72h.测量样品的电流-电压(I—v)曲线和电容一电压(C—V)曲线,并进行薛定谔-泊松方程自洽迭代计算获得以下与AlGaN/GaN异质结肖特基接触相关的特征参数:二维电子气(2DEG)面电荷密度。计划电荷面密度,三角形势阱中二维电子气分布,以及不同热退火时间下的肖特萆势垒高度. 以上参数中的大部分随热退火时间的增加而减小,只有二维电子气到AlGaN/GaN界面的平均距离随热退火时间的增加而变大.
AlGaN/GaN 薛定谔-泊松返程自洽求解 肖特基接触 特征参数
曹芝芳 林兆军 吕元杰 张宇 孟令国 栾崇彪 陈弘 王占国
山东大学物理学院 250100
国内会议
西安
中文
70-72
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）