陷阱对GaN HEMT电应力失效影响研究

摘要：

本文通过分析比较不同直流偏置条件下的实验结果,研究了陷阱对GaN HEMT器件电应力失效的影响,提出器件中本来存在的陷阱和施加电应力时新产生的陷阱综合作用,俘获电子引起暂时性可逆的退化,而AlGaN层发生逆压电极化效应导致的势垒层松弛,则会影响压电极化强度导致永久性退化。

关键词： GaN HEMT 失效机制 陷阱 逆压电极化

作者: 房玉龙 敦少博 李静强 刘波 尹甲运 蔡树军 冯志红

作者单位: 专用集成电路重点实验室,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 77-79

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）