具有埋层结构的4H—SiC混合PiN/Schottky二极管的研究

摘要：

碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MPS的新犁结构,分析表明埋层的加入能有效降低反向漏电流的大小。并详细研究了埋层的掺杂浓度、深度以及间距对器件反向漏电流和正向压降的影响.

关键词： 4H-SiC 混合PiN/Scllottky二极管 埋层结构 反向漏电流

作者: 黄健华 吕红亮 张玉明 张义门 汤晓燕 陈丰平 宋庆文

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 80-82

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）