SiC晶圆的ECR氢等离子体清洗研究
采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体发生系统清洗n型4H—SiC(0001)表面,利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程中表面微结构进行实时监控,并用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析。RHEED结果显示,SiC表面结构受氢等离子体清洗时间和温度的影响,在200℃～700℃温度范围内,特别是在400℃和500℃时处理合适的时间后SiC表面平整,原子排列规则,单晶取向性好,且表面未发生重构。XPS分析结果显示,氢等离子体处理后,表面C/C—H污染物被去除、氧含量明显降低.抗氧化性增强。
氢等离子体清洗 SiC晶圆 电子回旋共振
黄玲琴 江滢 王德君
大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024
国内会议
西安
中文
83-86
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）