SiC MOS界面氮氢等离子体改性及电学特性研究
本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试结果显示,氮氢混合等离子体处理10min效果最好,获得的氧化膜击穿场强为9.92MV/cm.SiO2与SiC间的势垒高度为2.71ev,同时导带附近(Ec—E=0.23eV)的界面态密度降低至1.14×1012cm—eV-1这表明氮氢混合等离子体处理能在不破坏氧化膜质量的前提下,有效降低SiO2/SiC界面的界面态密度,改善SiC MOS电容电学特性。
SiC MOS电容 界面态密度 等离子体
李林茂 朱巧智 刘瑞卿 王德君
大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024
国内会议
西安
中文
87-89
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）