封装中引线键合强度降低的原因分析
微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形式。而现在众多研究表明影响键合强度的是克根达尔效应形成的克根达尔空洞,我们以型号为SOT23的晶体管为研究对象,分别对150℃、175℃下作高温存储(HTSL)1000小时后的晶体管取样,再与20℃的晶体管对比,采用Multiplcxcr测试机作电参分析;通过制作截面切片,并将样品的截面镀金后用SEM作微观结构分析,对引线键合中的克根达尔空洞形成进行相关的研究。
微电子封装 金铝键合 克根达尔空洞:SOT23晶体管
李鹏 包生祥 张德政 马丽丽 吕德春
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
国内会议
西安
中文
90-92
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）