AlGaN/AlN/GaN HFETs中的极化梯度库仑场散射

摘要：

利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在AlGaN/GaN结构中相比相对变弱,但极化梯度库仑场散射在方形和圆形AlGaN/A1N/GaN场效应晶体管中仍然对二维电子气的迁移率仍然有重要的影响。

关键词： 半导体材料 极化梯度库仑场散射 二维电子气电子迁移率

作者: 吕元杰 林兆军 张宇 孟令国 栾崇彪 曹芝芳 陈弘 王占国

作者单位: 山东大学物理学院,济南 250100 中国科学院凝聚态物理北京国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 94-97

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）