从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备样品零偏压下势垒高度:又依据导出的AlGaN/GaN异质结构中零电场下的势垒高度同零偏压下势垒高度之间的关系,计算得到所制备样品零电场下的势垒高度,其数值与通过光电流谱测试得到的势垒高度结果一致。
肖特基势垒高度 AlGaN/GaN异质结构 正向I-v特性
栾崇彪 林兆军 孟令国 吕元杰 曹芝芳 王占国
山东大学物理学院,济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
国内会议
西安
中文
98-101
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）