InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管

摘要：

利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同结构器件进行了高频特性测试,结果表明阳极尺寸为3μm×44μm三指结构器件的截止频率超过300GHz,该器件适合零偏下工作,并将可能和HRMT实现单片集成。

关键词： 高电子迁移率晶体管 肖特基二极管 磷化铟

作者: 孙浩 孙晓玮 齐鸣 王伟 艾立鹍 滕腾 李凌云 钱蓉 徐安怀 朱福英 田彤

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050 中国科学院研究生院,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 107-110

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）