1.8 GHz氮化鎵低雜訊放大器的設計與研製
本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility transistor,HEMT),制作一个两级的架构,第一级尽量降低输出杂讯,第二级提高输出增益,且翰入端用低通滤波器(Low-pass filter)尽量匹配到50Ω,中闸及轮出端则用高通滤波器(High-pass filter)来做适当的匹配,使其放大器能达到最大增益.再藉由寅作来验证其可行性.
氮化鎵 功率放大器 设计理念
吳家松 張健煌 林泰勇 吳憲明 劉興中
台灣萬能科技大學電子系 中山科學研究院光電材料研究所
国内会议
西安
中文
114-116
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）