SiO2/SiC界面悬挂键磷钝化的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论(DFT)广义梯度近似(GGA)下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖率下P原子在4H-SiC(0001)Si面的吸附特性。总能和电子结构计算结果表明.P在4H-sic(0001)Si面的稳定吸附位为三重面心立方(fcc)洞位,吸附能随着覆盖率的增加而减小,覆盖率为1/3ML时.P吸附可以有效消除Si悬挂键导致的带隙态,进而降低SiO2/4H—SiC界面态密度.

关键词： 第一性原理 SiO2/SiC界面 悬挂键 磷钝化

作者: 张立平 江滢 李文波 王德君

作者单位: 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 121-123

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）