双沟道AllnN/GaN HEMT的I-V特性研究

摘要：

本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.

关键词： AllaN HEMT I-V特性 表面态

作者: 张森 国凤云 刘波 冯志宏 赵连城

作者单位: 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150001 专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 133-136

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）