Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究

摘要：

采用EcR微波氢等离子体技术处理n型4H-SiC表面,然后淀积金属Pt制作肖特基接触。I—V特性测试分析结果表明,经过氢等离子体表面清洗后,Pt/4H—SiC接触的整流特性增强,肖特基势垒由1.25V提高到1.73V。而4H-SiC肖特基势垒理论分析显示,氢等离子体表面处理使Pt/4H-SiC接触的界面态密度由1.2×1013cm-2eV-1减小到1.6×1012cm-2eV-1。

关键词： Pt/4H-SiC接触 肖特基势垒 界面态密度 氢等离子体清洗

作者: 郑康伟 黄玲琴 江滢 王德君

作者单位: 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 137-139

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）