SiO2/SiC界面氮钝化机理研究

摘要：

本文利用X射线光电子能谱技术(XPS)对氮等离子体处理前后的SiO2/4HSiC(0001)界面样品进行分析,结果显示,氮钝化过程中,N与SiC禁带中能级位于Ec附近的siOxCyv和碳团簇缺陷发生反应,降低了缺陷含量并同时生成能级靠近Ev的siOxNy和C-N键成分,进而减小了靠近Ec处的缺陷对界面态密度的影响,从界面缺陷变化角度明确了氮钝化工艺改善SiO2/SiC界面特性的微观机理。

关键词： SiO2/SiC界面 氨等离子体处理 XPS 界面缺陷

作者: 朱巧智 刘瑞卿 王德君

作者单位: 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 140-142

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）