高能电子辐照GaN的光致发光谱研究
(0) 本文利用高分辨x射线衍射,光致发光(PL)谱技术研究了10MeV不同剂量(5×1016e/cm2和5×1017e/cm2)电子辐照对GaN光学性能的影响。实验结果表明,辐照后样品的带边峰显著下降,辐照使样品晶格内形成比较稳定的缺陷结构,退火并不能有效改善样品的光学性能。低剂量辐照样品的蓝光带和黄光带几乎不受退火的影响;高剂量辐照样品中产生点缺陷复合体的浓度较大,在800℃退火后,黄光带的强度变弱,与VGa点缺陷复合体分解有关,蓝光带在600℃退火后迅速下降,800℃退火后,由于空穴脱离深能级缺陷达到价带发生淬灭现象。
GaN薄膜 电子辐照 辐照诱生缺陷
张月梅 梁李敏 解新建 郝秋艳 刘彩池
河北工业大学材科学院信息功能材料研究所,天津 300130
国内会议
西安
中文
144-147
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）