5.3 MeV Kr离子辐照的InGaN/GaN异质结X射线衍射的研究

摘要：

使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InGan和GaN层的结构均发生了明显的变化。GaN层被分成了晶格膨胀程度不同的几个损伤层,而InGaN层则发生了均匀的晶格膨胀。GaN薄膜的层状结构以及GaN和InGaN辐照效应的差异被讨论.

关键词： InGaN/GaN异质结 离子辐照 X射线衍射

作者: 张利民 张崇宏 张丽卿 贾秀军 韩录会 徐超亮 张勇

作者单位: 中国科学院近代物理研究所,兰州 730000 兰州大学核科学与技术学院,兰州 730000 中国科学院近代物理研究所,兰州 730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 148-150

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）