GaN HVPE生长基座优化研究
本论文采用计算机模拟技术,研究了氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中石墨基座上的温度分布情况并对基座结构进行了优化。在竖直HVPE电阻丝加热炉内。由于热辐射和热传导及对流的影响,蓝宝石衬底上温度分布不均匀,进而影响到其上GaN薄膜的生成。本次研究模拟了不同结构下基座上的温度分布特点,并选择衬底上温度分布最均匀的结构,对基座结构进行优化。通过本次研究,获取了不同HVPE生长环境下最佳的基座结构设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长提出指导性意见。
氮化镓 晶体生长 氢化物气相外延 基座结构
程红娟 徐永宽 李强 杨丹丹 张嵩
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
国内会议
西安
中文
176-178
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）