Up to 110GHz毫米波单片集成电路的在片测试技术研究

摘要：

随着Ⅲ-Ⅴ族单片集成电路集成度逐渐向SOC演进,工作频率逐渐进入THz波段,半导体工艺即将突破20m,单片集成电路的在片测试技术已经成为阻碍单片集成电路技术继续突破的瓶颈问题。中科院上海微系统与信息技术研究所基于具有自主知识产权的60GH单片低噪声放大器作为待测件,通过自主搭建的Up to 110GHk毫米波单片集成电路测试平台实现60GHk单片集成电路在片S参数与噪声系数测试,最终实际测试结果不仅证实了该平台的可行性,而且为亚毫米波段在片测试莫定基础。

关键词： Up to 110GHz 在片测试 毫米波扩频 噪声系数

作者: 吴亮 钱蓉 秦然 佟瑞 李凌云 田彤 孙晓玮

作者单位: 太赫兹固态技术实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050 中国科学院研究生院,北京 100049 太赫兹固态技术实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 189-192

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）