AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响
采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN阻挡层低温生长和高温生长的样品的室温电子迁移率分别为625cm2/V·s和439cm2/V·s,方块电阻分别为787Ω/口和939Ω/口。实验结果表明,采用低温生长AIN阻挡层有助于改善后续势垒层高温生长对异质结界面粗糙度的恶化,从而有利于提高二维电子气的迁移率。
InGaN沟道 异质结 低温A1N生长
陈珂 王昊 马俊彩 付小凡 张进成 郝跃
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
国内会议
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209-212
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）