双沟道AlGaN/GaN异质结构
采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为2×1018cm-3;样品C在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为3×1019cm-3。霍尔效应测量结果三样品方块电阻分别是:样品A为336Ω/口:样品B为225Ω/口;样品C为145Ω/口,表明采用势垒层掺杂的多沟道结构可有效降低AlGaN/GaN HEMT方块电阻。
AlGaN/GaN 多沟道 异质结构
付小凡 王昊 林志宇 马俊彩 刘子扬 张进成 郝跃
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
国内会议
西安
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213-215
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）