成核层温度对N面GaN外延薄膜质量的影响
采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,尽管成核层温度不同。N面GaN的带边峰均出现红移,且低温氮化镓外延薄膜的红移较小,对应于较低的张应力。此外,从AFM图像上可以看到,外延薄膜表面形貌对成核层温度是极其敏感的。对此,我们基于以上实验结果,从的角度出发,讨论了不同温度下N面GaN的生长行为对外延薄膜质量及形貌的影响。
N面GaN 成核层 晶体质量 表面形貌 生长机理
杜大超 林志宇 马俊彩 张进成 郝跃
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
国内会议
西安
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216-218
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）