新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备

摘要：

作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V.s,此结果显示了该方法在高质量InAlN薄膜生长中的显著优势.同时制备的InAlN/CaN HEMT器件表现出优越的性能,最大跨导为320mS/mm,最大漏极饱和电流为1A/mm。

关键词： InAlN CaN HEMTs 化合物半导体

作者: 薛军帅 郝跃 欧新秀 史林玉 张进成 马晓华 王冲

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 219-220

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）