InN、ZnO材料的制备及其电注入发光研究
我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子浓度的控制。 为了克服DEZn预反应问题,该系统反应室安装了两个特殊设计的源喷枪,将O2和DEZn直接喷淋在衬底片上反应生长,不进行混气。同时为了解决ZnO材料p型掺杂问题,该MOCVD设备添加了射频等离子体增强系统。设备还添加了光照系统,光照可以提高源的分解效率,有助于金属有机物中的烷基脱去,同时可能激活受主杂质。利用该MOCVD系统我们在Si、GaAs、Al2O3、GaF2等衬底上生长制备了高质量ZnO薄膜.
InN材料 A1N材料 制备工艺 电注入发光
杜国同 赵涧泽 刘远达 程轶 宋世巍 赵旺 王瑾 王辉 史志峰 董鑫 张宝林 夏小川 梁红伟
吉林大学集成光电子国家重点实验室电子科学与工程学院 长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院大连 116023
国内会议
西安
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225-226
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）