碳化硅外延石墨烯分子动力学模拟

摘要：

本文通过分子动力学软件模拟研究了6H—SiC(000—1)面在1500K高温条件下表面碳原子退火后自组织形成石墨烯结构物理过程。通过对关联函数比较发现随着表面碳原子的覆盖层数的增加,石墨烯数量逐渐增加,说明表面碳原子的覆盖层数影响石墨烯生长结构和形貌。模拟碳化硅碳面和硅面在表面为双层碳原子时生长情况,结果发现碳面生长好于硅面,和报道的实验结果相符,并利用碳化硅表面对碳原子吸附能解释这一现象。从分子水平了解石墨烯生长形貌和机理。

关键词： 碳化硅 外延生长 石墨烯 分子动力学

作者: 詹晓伟 张玉明 郭辉 张义门 王党朝 程和远 洪朴

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 233-237

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）