衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响
本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝宝石衬底分别具有偏m面的不同角度。通过对制备出的GaN外延片弯曲度、表面形貌、XRD半高宽的分析比较,总结出以下规律:偏m面角度从0°增加到0.5度时,外延表面从包状结构逐渐过度到线状结构,且表面趋于平整光亮,而当偏角大于一定值时表面粗糙;选用合适偏角,或降低外延片弯曲度都可有效减小(002)方向XRD半高宽值。
氮化镓 氢化物气相外延 衬底偏角
程红娟 徐永宽 李强 杨丹丹 张嵩
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
国内会议
西安
中文
247-249
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）