6H-SiC的晶型可控生长

摘要：

异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生长的工艺,采用该工艺进行了晶体生长实验,结果表明晶片上6H-Sic的面积达93％.

关键词： 6H-SiC 异晶型夹杂 可控生长

作者: 封先锋 陈治明 林生晃 蒲红斌

作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 254-258

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）