基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究

摘要：

半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。

关键词： 半导体多量子阱结构 子带间跃迁 材料生长

作者: 黄呈橙 许福军 闫晓东 宋杰 苗振林 岑龙斌 潘建海 王新强 沈波

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 269-269

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）