MOCVD选择区域外延和对接生长研究

摘要：

采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。

关键词： MOCVD InGaAsP材料 选择区域外延 对接生长

作者: 孔端花 梁松 潘教青 刘扬 汪洋 朱洪亮

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 270-271

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）