高密度InAlGaAs/AlGaAs量子点的光致发光性质研究
利用分子束外延技术制备了InAlGaAs/AIGaAs高密度(1.21×1011cm-2)量子点,并对其变温(4~320K)和变激发功率(0.05~50mW)光致发光性质进行了研究。实验发现,随着激发光功率的增加,量子点发光峰位发生大幅蓝移。该现象源于紧密相邻量子点间的势垒降低导致的载流子在量子点间的直接转移。
InAlGaAs量子点 光致发光 载流子转移
梁德春 李新坤 金鹏 王占国
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
国内会议
西安
中文
275-277
2010-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)