As掺杂p型ZnO薄膜的制备

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p—ZnO薄膜中;利用低温光致发光(PL)测试结果可计算出As受主能级位于距价带顶137 meV处。另外,采用GaAs夹层掺杂法,在n-Si衬底上制备出了p—ZnO:As/n—Si异质结器件,其I—V曲线呈良好的p—n结整流特性。

关键词： MOCVD方法 ZnO薄膜 砷掺杂

作者: 夏晓川 赵涧泽 李香萍 梁宏伟 王瑾 杜国同

作者单位: 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024 集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024 集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 306-307

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）