GaSb量子点光致发光谱研究
针对分子束外延自组织生长的第二类能带对准型Gasb/GaAs量子点,我们系统地进行了低温下光致发光谱研究。发现Gasb量子点光谱峰值能量的蓝移量与激发功率密度的立方根成正比;而且根据激发功率增强时观察到的激发态跃迁,可以估算量子点内间接激子的寿命。我们还研究了不同功率下,量子点发光随温度升高而淬灭的活化能,发现活化能随量子点内平均载流子数目增加而减小;同时活化能与光谱峰值能量之和不变。且小于GaAs的带隙。
GaSb量子点 光致发光 二类量子点 活化能
尹虹 李国栋 江潮
国家纳米科学中心,北京,100190
国内会议
西安
中文
312-315
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）