衬底温度对MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3外延薄膜的性能影响

摘要：

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤锌矿结构的纯ZnO外延薄膜,具有(0002)的单一择优取向。衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响。在600℃衬底温度下制备的ZNO薄膜具有最高的电子迁移率121cm2/V-s。制各样品在可见光范围内的平均透射率超过75％。

关键词： ZnO薄膜 MOCVD方法 衬底温度 结构特性

作者: 喻巧群 栾彩娜 孔令沂 朱振 弭伟 马瑾

作者单位: 山东大学物理学院,济南 250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 316-319

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）