MBE生长太阳电池用立方相n—CdSe薄膜及其性能分析
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅速下降。T(Zncl2)等于140℃时得到最高的电子浓度(3.8×1018cm-3)。降低Ⅵ/Ⅱ比能进一步提高掺杂浓度,当VI/II比减小到1.0时n达到9.5×1018cm-3,同时电子迁移率(μ)并没有减小,仍保持在100cm2/V·s左右.
分子束外延 n型掺杂 X射线衍射 Hall测试 光致发光 CdSe薄膜
赵杰 刘超 崔利杰 曾一平
中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083
国内会议
西安
中文
323-325
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）