会议专题

V族离子注入ZnO体单晶的初步研究

我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量的注入,希望实现方形离子注入层。我们对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。另外,我们进行了室温的光致发光测试,只能观察到微弱的发光点,但无法探测到发光峰。测试结果表明注入产生了晶格损伤,并引入了缺陷态。

ZnO单晶 离子注入 拉曼散射

谢辉 赵有文 董志远 杨俊

中国科学院半导体研究所,北京912信箱,10083

国内会议

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

西安

中文

326-328

2010-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)