ZnO单晶的P,As和Sb离子注入研究

摘要：

本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO单晶的性质。为了得到均匀的掺杂层,我们首先使用SRIM软件进行了模拟计算,确定了注入的能量和剂量,以便实现方形离子注入层。对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。另外,我们进行了室温的光致发光测试,只能观察到微弱的发光点,但无法探测到发光峰。测试结果表明注入产生了晶格损伤,并引入了缺陷态.

关键词： ZnO单晶 离子注入 拉曼散射

作者: 谢辉 赵有文 董志远 杨俊

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京912信箱,10083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 329-331

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）