GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT
利用气态源分子束外延生长了带有两种带有不同渐变基区结构的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管。组分渐变基区结构中,Ga组分从集电区一端的47％逐渐增加到发射区一端的55％。掺杂渐变基区结构中,Bc的掺杂浓度从集电区一端的8.8×1018cm-3逐渐升高到发射区一端的2.2×1019cm-3。测试表征了不同组分的InGaAS、InGaAsP材料,获得了质量良好的InP/InGaAs/InPDHBT结构材料。制造出发射极面积100×100μm2的DHBT器件。开启电压分别为0.2V和0.25V,击穿电压分别为1.3V和1.4V。分析了击穿电压较低的原因。
磷化铟 双异质结双极晶体管 渐变基区
滕腾 艾立鹍 孙浩 徐安怀 朱福英 齐鸣
中国科学院微系统与信息技术研究所,上海 200050
国内会议
西安
中文
348-351
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）