氮化镓基激光器的研究进展

摘要：

利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)和6.8V。老化实验的结果表明:器件阈值电流的上升与内量子效率的下降紧密相关。本文还优化了蓝光激光器的波导结构,实现了国内首支蓝光激光器的室温脉冲电注入激射,激射波长为445nm。

关键词： 氮化镓基激光器 衬底生长 波导结构

作者: 张书明 曾畅 季连 王怀兵 赵德刚 朱建军 刘宗顺 江德生 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 388-390

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）