InP基2—3μm波段量子阱研究
针对InP基2.3μm波段应变InGaAs量子阱结构,采用In0.53Ga0.47As/InaAs三角量子阱结构代替传统方势阱结构改善量子阱的应变情况,使得在相同应变量下量子阱的发光波长更长。利用气态源分子束外延生长In0.53Ga0.47As/InAs数字超晶格来等效构成三角量子阱结构,通过优化三角量子阱结构和生长条件参数,使样品在室温下光致发光波长大于2.4 μm,并采用数字超晶格生长垒层材料进一步改善了量子阱的发光特性。
应变量子阱 InP基 发光特性
顾溢 张永刚
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
国内会议
西安
中文
403-407
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）