MoO3掺杂CuPc空穴注入层对有机电致发光器件的改善

摘要：

我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/Alq3 30nm/LiF/Al,在100cd/m2亮度下的操作电压是4.4V,效率是4.3 lm/W。 紫外可见光谱显示MoO3和CuPc之间形成的电荷转移产物对有机电致发光器件性能的改善起着关键作用。

关键词： 空穴注入 MoO3掺杂 有机电致发光器件 CuPc缓冲层

作者: 关敏 李林森 曹国华 李弋洋 曾一平

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 415-417

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）