GaAs基短周期InAs/InGaSb超晶格红外探测器研究

摘要：

综述了近年来对InAs/InGaSb超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。制作了一系列不同In组分的超晶格材料,InAs/InGaSb超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm涵盖3～5μm,8～14μm两个重要大气窗口。并制备成探测器,光谱响应为8.4μm与12.5μm。

关键词： 超晶格材料 红外探测器 禁带宽度

作者: 国凤云 蒋洞微

作者单位: 哈尔滨工业大学,黑龙江 哈尔滨

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 418-418

在线出版日期: 2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）