InGaN垒对氮化物LED多量子阱质量及光电性能影响
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上分别外延生长以InGaN和GaN为垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性及电学性能,结果表明,有源区材料界面质量明显得到改善,样品中V坑的数目及相应的位错减少。并且利用InGaN做垒的样品光致发光的峰值强度增强、峰位蓝移。对两种结构的LED进行电学测量得知,InGaN垒样品的droop现象得到较大的改善。这表明阱垒之间的应力减小,降低了由此产生的压电电场,增大了载流子的复合几率,提高了量子效率。
InGaN垒 高分辨X射线衍射 光致发光 量子效率 发光二极管
张宁 姬小利 刘乃鑫 刘喆 王军喜
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京海淀区清华东路甲35号,100083
国内会议
西安
中文
420-422
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）