基于p-Si/Zn1-xMgxO/n—ZnO异质结发光器件的研究
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V。在正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱包括紫外和可见两部分,它们分别是由ZnO一侧的近带边和深能级上的辐射复合引起的。相比于传统的p-Si/n-ZnO结构,Zn1-xMgxO(x=0.1)阻挡层的引入,使得异质结的电致发光效率有了很大的提高。并通过ZnO的光致发光(PL)谱对异质结器件的发光机制进行了分析。
MOCVD方法 异质结 Ⅰ-Ⅴ特性 电致发光
史志锋 赵龙 夏晓川 王辉 赵旺 董鑫 杜国同
集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116023 集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116023
国内会议
西安
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426-428
2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）